Shenzhen Union Tenda Technology Co., Ltd.
tang@szutd.com 86-755-29082440
Các sản phẩm
Các sản phẩm
Nhà > Các sản phẩm > Pad dẫn nhiệt > Tấm silicone dẫn nhiệt LC600 điện trở nhiệt thấp 6 W/m·K dày 0.5-10mm

Tấm silicone dẫn nhiệt LC600 điện trở nhiệt thấp 6 W/m·K dày 0.5-10mm

Chi tiết sản phẩm

Điều khoản thanh toán và vận chuyển

Điều khoản thanh toán: T/T,D/P,D/A,L/C

nói chuyện ngay.
Làm nổi bật:

Tấm silicone dẫn nhiệt 6 W/m·K

,

Tấm truyền nhiệt dày 10mm

,

Tấm truyền nhiệt dày 0.5mm

Tên:
Pad dẫn nhiệt
Độ dẫn nhiệt:
6,0±0,3 W/m·K
độ dày:
0,5~10mm
Tỉ trọng:
3,30±0,2 g/cm3
Trở kháng nhiệt:
0,225°C·in²/W hoặc 1,454°·cm²/W
Tên:
Pad dẫn nhiệt
Độ dẫn nhiệt:
6,0±0,3 W/m·K
độ dày:
0,5~10mm
Tỉ trọng:
3,30±0,2 g/cm3
Trở kháng nhiệt:
0,225°C·in²/W hoặc 1,454°·cm²/W
Tấm silicone dẫn nhiệt LC600 điện trở nhiệt thấp 6 W/m·K dày 0.5-10mm

6 W/m K 0,5-10 mm Độ dày LC600 Kháng nhiệt thấp Thermic Conductive Silicone Pad Thermic Transfer Pad Sheet

 

Thermic Silicone Pad LC600

Bộ đệm silicon dẫn nhiệt LC600 là bộ đệm lấp lỗ dẫn nhiệt cao với hiệu suất nhiệt tuyệt vời. Nó mềm, hơi dính và dễ lắp ráp.Dưới lực nén thấp, nó cho thấy tính dẫn nhiệt tốt và tính cách điện tốt. Nó được đặt giữa các thành phần tạo nhiệt và thùng tản nhiệt hoặc vỏ thiết bị,khí thải để đảm bảo tiếp xúc hoàn toàn và tạo thành một đường dẫn nhiệt liên tụcBằng cách sử dụng thùng tản nhiệt hoặc vỏ thiết bị như một thành phần làm mát, khu vực phân tán nhiệt được tăng hiệu quả, cải thiện đáng kể hiệu quả làm mát.

 

Các mục thử nghiệm

Đơn vị

LC600

Tiêu chuẩn thử nghiệm

Sự xuất hiện

-

Xám

Hình ảnh

Độ dày

mm

0.5~10

ASTM D374/374M

Độ cứng

AO bờ

30± 5

ISO 48-4

Độ cứng

Shore OO

60±10

ASTM D2240

Mật độ

g/cm3

3.30± 0.2

ASTM D792

Độ bền kéo

MPa

≥ 0.10

ASTM D412

Sự kéo dài ở chỗ phá vỡ

%

≥ 40

ASTM D412

Sức mạnh điện đệm

KV/mm

≥10

ASTM D149

Kháng thể tích

Ω·cm

≥1×1013

ASTM D257

Giảm cân

%

≤0.3

150°C240H

Hằng số dielectric

1MHz

7.5-8.4

ASTM D150

Nhiệt Khả năng dẫn điện

W/m·K

6.0±0.3

ISO 22007-2

Khả năng dẫn nhiệt

W/m·K

6.0±0.3

ASTM D5470 (T(cùng với độ dày)

Kháng nhiệt

°C·in2/W

0.225

ASTM D5470(1mm 10psi)

Kháng nhiệt

°C·cm2/W

1.454

ASTM D5470(1mm 10psi)

Khả năng cháy

Lớp học

V-0

UL94

Nhiệt độ hoạt động

°C

- 40~200

-

Khả năng nhiệt cụ thể

J/(g/K)

0.906

ASTM E1269

 

Các đặc điểm và lợi thế

- Khả năng dẫn nhiệt cao làm giảm nguy cơ quá nóng.
-Natural dính, dễ dàng lắp ráp, và cho phép tháo rời và lắp ráp lại nhiều lần.
-Điều mềm và nén tuyệt vời, có khả năng lấp đầy các khoảng trống không đồng đều có kích thước khác nhau.
- Khả năng chống thời tiết và lão hóa đặc biệt, làm cho nó phù hợp với việc sử dụng lâu dài.

 

Các ứng dụng điển hình
- Được sử dụng để dẫn nhiệt giữa CPU, GPU, và các thành phần tạo nhiệt cao khác và thùng xử lý nhiệt.
- Phù hợp cho các thiết bị đòi hỏi tiêu hao nhiệt ổn định lâu dài, chẳng hạn như trạm gốc và bộ định tuyến.
- Áp dụng cho các khu vực cần phân tán nhiệt trong pin ô tô, đơn vị điều khiển điện tử (ECU), mô-đun điều khiển động cơ và đèn LED.
- Được sử dụng để quản lý nhiệt trong các nguồn điện AC / DC, biến tần và hệ thống UPS (cổng điện không bị gián đoạn).

 

Bàn đệm nhiệt silicon hiệu suất cao, bộ lấp lỗ nhiệt linh hoạt với sức đề kháng nhiệt thấp. mềm và có thể nén để lấp lỗ giữa thùng nhiệt và các thành phần điện tử.Độ cách điện tốt, chống nhiệt độ cao, RoHS & UL chứng nhận. tùy chỉnh kích thước cắt chết & dẫn nhiệt có sẵn. được sử dụng rộng rãi cho nguồn cung cấp điện, LED, PCB, năng lượng mới và điện tử công nghiệp làm mát,mẫu nhà máy & dịch vụ OEM được hỗ trợ.

Sản phẩm tương tự